Graphene Field-Effect Transistor (GFET) Chip - Grid pattern,石墨烯场效应晶体管
石墨烯场效应晶体管
Graphene Field-Effect Transistor (GFET) Chip - Grid pattern
品牌: Strem
产品编号: 06-2555
CAS: 1034343-98-0
分子式: C
分子量: null
纯度: null
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Graphene oxide, 99%, reagent grade, thickness: 0.55 - 1.2 nm, diam.: 0.5 - 3 μm, layers: ＜3,氧化石墨烯

氧化石墨烯,99%,试剂级, 厚度: 0.55 - 1.2 nm, 直径: 0.5 - 3 μm, 层数: ＜3

Graphene, 98%, reagent grade, thickness: 0.55 - 3.74 nm, diam.: 0.5-3μm, layers: <1,石墨烯

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Graphene, 98%, reagent grade, thickness: 1 - 3 nm, layers: <3, size: >50 μm,石墨烯

石墨烯,98%,试剂级, 厚度: 1 - 3 nm, 层数: <3, 尺寸: >50 μm

Graphene -COOH functionalized Graphene, 98%, diam.: 0.5 - 3 μm, thickness: 0.55 - 3.74 nm, layers：≤10,羧基功能化石墨烯

羧基功能化石墨烯,98%,直径: 0.5 - 3 μm, 厚度: 0.55 - 3.74 nm, 层数: ≤10

基本信息

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