百灵威STREM提供了高质量的石墨烯FET芯片
为研究人员提供了直接接触最新石墨烯器件的途径:(06-2555)–石墨烯场效应晶体管(GFET)芯片-栅格图案和(06-2560)–石墨烯场效应晶体管(GFET)芯片-象限图案(图1)。
品名 | CAS | 货号 |
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Graphene Field-Effect Transistor (GFET) Chip - Grid pattern 石墨烯场效应晶体管 | 1034343-98-0 | 06-2555 |
Graphene Field-Effect Transistor (GFET) Chip - Quadrant pattern 石墨烯场效应晶体管 | 1034343-98-0 | 06-2560 |
这促进了应用驱动的研究,而无需从头构建GFET。这些GFET设备没有封装,可以进一步功能化,为新型传感器的研发提供了完美的平台。每个芯片提供36个单独的GFET,以网格和象限模式分布,迁移率通常超过1000 cm2/V.s。
1. Biosens. Bioelectron. 2018, 100, 312.
2. Sens Actuator B Chem 2017, 253, 759.
3. J. Phys. D - Appl. Phys. 2012, 45, 019501.
4. Chem. Rev. 2017, 117, 9973.
5. Appl. Phys. Rev. 2017, 4, 021306.
6. Nature Nanotechnology 2014, 9, 780.
7. Nanotechnology 2013, 24, 214002.
8. J. Phys. Chem. Lett. 2012, 3, 1746.